Podczas swojego wystąpienia zatytułowanego „Nowa podróż w pamięci AI nowej generacji: od sprzętu do życia codziennego”, Kwak Noh-Jung ogłosił rozwój pierwszej w branży pamięci HBM3E o pojemności 48 GB i 16 warstwach — najwyższej na świecie, po produkcie 12-warstwowym. Dyrektor podzielił się także wizją, aby SK hynix stał się „Dostawcą Pamięci AI Full Stack”, oferując pełną gamę produktów w obszarze pamięci AI, zarówno w DRAM, jak i NAND, w bliskiej współpracy z partnerami.

SK Hynix 2024
Źródło: Techpowerup.com

Podsumowanie kluczowych punktów prezentacji firmy SK Hynix:

  • Pamięć, która kiedyś istniała na poziomie „osobistym” — z danymi przechowywanymi na komputerach osobistych czy smartfonach — obecnie przekształca się w poziom „połączony”, dzięki usługom chmurowym i mediom społecznościowym.
  • W przyszłości, w miarę rozwoju sztucznej inteligencji, pamięć będzie odgrywać rolę w „kreatywności i doświadczeniu”.
  • Aby zrealizować wizję „Kreatywnej Pamięci”, SK hynix potrzebuje pamięci półprzewodnikowej nowej generacji, która zapewni moc obliczeniową.
  • Firma planuje wprowadzenie różnych „światowych pierwszych” produktów, będąc pionierem w branży pod względem rozwoju i produkcji na dużą skalę.
  • SK hynix zamierza również dostarczać produkty, które są „ponad najlepsze”, charakteryzujące się najwyższą konkurencyjnością oraz „optymalną innowacją” w erze AI.
  • Rynek 16-warstwowej HBM ma się otworzyć w generacji HBM4, ale SK hynix już pracuje nad 48 GB 16-warstwową HBM3E, aby zapewnić stabilność technologiczną, a pierwsze próbki mają trafić do klientów na początku przyszłego roku.
  • Firma wykorzysta zaawansowany proces MR-MUF, który umożliwił masową produkcję produktów 12-warstwowych, do produkcji 16-warstwowej HBM3E, rozwijając także technologię hybrydowego łączenia jako alternatywę.
  • Produkty 16-warstwowe oferują poprawę wydajności o 18% w treningu i 32% w wnioskowaniu w porównaniu do 12-warstwowych. Wzrost rynku akceleratorów AI dla wnioskowania sprawia, że te innowacje pomogą SK hynix umocnić pozycję lidera w pamięci AI w przyszłości.
  • SK hynix pracuje także nad modułem LPCAMM2 dla komputerów osobistych i centrów danych, a także nad LPDDR5 i LPDDR6 opartymi na technologii 1cnm, maksymalizując swoje atuty w zakresie niskiego zużycia energii i wysokiej wydajności.
  • Firma przygotowuje również SSD PCIe 6. generacji oraz wysoko pojemnościowe eSSD oparte na QLC i UFS 5.0.
  • SK hynix planuje zastosowanie procesu logicznego na podstawowym chipie w generacji HBM4, współpracując z wiodącą globalną wytwórnią logiczną, aby dostarczyć klientom najlepsze produkty.
  • Spersonalizowana HBM będzie dostosowana do różnych wymagań klientów dotyczących pojemności, przepustowości i funkcji, co ma szansę wprowadzić nowy paradygmat w pamięci AI.
  • Zwiększone wymagania dotyczące pamięci w systemach AI skłaniają SK hynix do przygotowania tkanin CXL, które umożliwiają dużą pojemność poprzez łączenie różnych pamięci, a także do opracowania eSSD o ultra dużej pojemności, aby pomieścić więcej danych w mniejszej przestrzeni przy niskim zużyciu energii.
  • SK hynix pracuje również nad technologią, która dodaje funkcje obliczeniowe do pamięci, aby pokonać tzw. „ścianę pamięci”. Technologie takie jak przetwarzanie blisko pamięci (PNM), przetwarzanie w pamięci (PIM) oraz przechowywanie obliczeniowe staną się kluczowe w przetwarzaniu ogromnych ilości danych w przyszłości, przekształcając strukturę systemów AI nowej generacji i przyszłość branży AI.

Moim zdaniem plany firmy SK Hynix są naprawdę ciekawe i mogą zrewolucjonizować rynek. Oczywiście wszystko okaże się gdy pierwsze sample trafią do firm i redakcji na testy. Czas pokaże.

Udostępnij ten artykuł